随着航天、通信等领域电子器件向着小型化集成化和高功率化的趋势不断发展,急剧增加的热通量给器件散热带来巨大挑战,过高的温度已经成为电子器件寿命降低和性能失效的重要因素,电子封装材料作为半导体芯片散热的主要通道。
高功率半导体激光器工作时由于单颗芯片出光功率大,单位面积产生的热量大,如果不做好散热技术,很容易发生芯片死亡,性能快速下降。热效应影响,降低了激光器的输出功率、电光转换效率,甚至减少激光器使用寿命或者导致激光器失效等问题已不容忽视。高功率半导体激光器封装对过渡热沉的要求主要有两个方面,低热阻与低热失配。过渡热沉热导率越高越可以有效地降低激光器热阻,同时需考虑芯片与热沉的热膨胀系数匹配程度,根据需求选择合适的烧结焊料,减少热失配,进而提高高功率半导体激光器输出特性。
金刚石作为高功率半导体激光器封装热沉,表现出优异的散热特性:一方面将集中于器件PN结的热量能够均匀迅速的沿热沉表面扩散;另一方面将热量沿热沉垂直方向迅速导出。因此可以应用金刚石膜制作高功率光电子元件的散热器材料。
随着金刚石制造技术的大力发展,金刚石的成本得到降低,使得金刚石得到了广泛的应用。目前人造金刚石热沉的热导率最高已经达2000W/(K·m)以上,远远大于氮化铝和铜的热导率。拥有高热导率的金刚石热沉片作为过渡热沉是有显著优势的。
凯发k8国际采用最先进的 MPCVD 装置,制备大面积高品质金刚石膜,具有高厚度均匀性和高生长速率。同时,凯发k8国际采用研磨抛光专用设备,使CVD金刚石生长面表面粗糙度 Ra < 1 nm,呈镜状光泽。完全符合金刚石作为电子元件,需具备的极低的表面粗糙度和极高的面型精度,从而增大接触面积,提高其散热效率。目前,采用凯发k8国际金刚石热沉片的大功率半导体激光器已经用于光通信,在激光二极管、功率晶体管、电子封装材料等领域也有应用。