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功率器件的材料演进之路：金刚石是下一代核心材料！

时间：2023-08-16浏览次数：917
硅作为最常用的半导体材料之一，占据了功率器件市场的主导地位。它的主要优点是资源丰富、工艺成熟和成本较低。然而，这一材料的电子迁移率较低，耐压和频率上限也相对有限，限制了其在某些高端应用中的使用。


碳化硅（SiC）以其宽禁带特性逐渐在高功率和高温场合受到欢迎。其高耐受电压、低导通损耗和良好的高温性能使其在许多应用中具有优势，正在逐渐蚕食硅的市场份额。但相对较高的成本则是其普及的一大障碍。

氮化镓也是一种宽带隙半导体材料，GaN优点是高电子迁移率，低导通损耗，适合高频应用。但缺点是制造工艺复杂，成本相对较高。

现在市面上主要采用上述这几种材料来制造功率器件，但与此同时，行业也正在不断探索新型材料。尤其是氧化镓和金刚石，这两种材料正在受到越来越多的关注。

氧化镓，作为一种相对较新的半导体材料，相比碳化硅、氮化镓具有更宽的禁带宽度（约 4.9eV 禁带宽度），以及具有 8MV/cm 的理论临界击穿场强。其高击穿电场和较低的损耗显示出巨大的潜力，但由于制造工艺相对不成熟，现在其应用仍处于探索阶段。未来，氧化镓有望在高压和高效的功率转换系统中找到其位置。

金刚石被认为是终极半导体，因为它在许多方面的性能优于市场上的旧材料（如硅、砷化镓）和新材料（如氮化镓和碳化硅）。与其他半导体材料相比，金刚石具有独特的优势：

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极高的热导率、优异的电绝缘性能和高温稳定性：金刚石是一种在高温下稳定的材料，其电性能在超过2000°C的温度下不会恶化，远超其他半导体材料。


卓越的电气性能：金刚石的临界电场比硅高30倍，比碳化硅高3倍。与大多数半导体不同，金刚石的电阻率随温度升高而降低，这使其在高温环境中表现出色。


超高电流密度和电压：与硅相比，金刚石的电流密度高出5000倍，电压高出30倍。这使其能够在高温和辐射的恶劣环境下工作，适用于极端条件下的应用。


广泛的应用潜力：尽管制造工艺复杂且成本高昂，金刚石在高温、高压和高功率的极端环境中的潜力仍然巨大。其应用范围涵盖了电动汽车、具有20年长寿命电池的物联网、使用硬化电子元件或探测器的核能和空间应用，以及用于自动驾驶汽车的超精确量子传感器等领域。


金刚石对于半导体行业来说是一种很有前景的材料，但该技术要成为工业现实，仍需克服许多障碍。


（一）晶圆切割：由于缺乏有效地将金刚石切成薄晶圆的技术，其应用受到限制。晶圆必须一张一张地合成，这使得制造成本对于大多数行业来说都过高。

现在，由千叶大学工程研究生院的Hirofumi Hidai教授带领的日本研究团队找到了切成薄晶圆的方法。这种基于激光的切割技术用于沿着最佳的晶体面整齐地切割金刚石，从而制造出平滑的晶片。为防止不必要的裂纹沿晶格扩散，研究人员开发了一种处理技术，将短激光脉冲集中在材料内的窄锥体积上。Hidai教授解释说：“集中的激光照射会将金刚石转化为密度低于金刚石的非晶碳。因此，被激光脉冲改变的区域会发生密度减小和裂纹形成。”

金刚石切片能够以低成本生产高质量的晶圆，对于制造金刚石半导体器件是必不可少的。因此，这项研究使我们更接近实现金刚石半导体在社会中的各种应用，例如提高电动汽车和火车的功率转换率。

（二）外延片：在制造金刚石器件所需的所有工业过程中，外延层的生长是最关键的过程之一，因为大部分电气性能取决于这些有源层的质量。

法国的一家名为Diamfab的初创公司，正在研究生产金刚石外延晶片。Diamfab是法国国家科研研究中心 (CNRS) 的附属组织。CNRS的宽带隙半导体团队 (SC2G) 30 年来不断致力于为具有挑战性的电子应用领域开发高质量合成金刚石。

Diamfab用甲烷来生产金刚石，甲烷是一种可以顺利获得自然和生物手段生产且不受资源限制的气体。使用两种工艺来合成它：HPHT（高压高温）或 MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）

顺利获得独特的控制来合成和掺杂金刚石外延层，他们开发了利用微波产生的等离子体在受控温度和压力条件下合成和掺杂金刚石外延层的IP。这会将甲烷分子裂解成碳，然后碳在金刚石种子的表面上重新排列。同时，添加精确且受控数量的硼或氮以生长金刚石掺杂层并形成准备用于器件制造的高附加值晶圆。因此，金刚石掺杂层的堆叠被生长以形成高附加值的晶圆，为设备制造实行准备。

Diamfab瞄准的是金刚石在电动汽车市场中的应用。在汽车应用中，Diamfab晶圆可以制造重量减轻80%、结构更紧凑的电源转换器。在电网应用中，与硅相比，晶圆还可以更轻松地处理更高的电压，并将能量损失减少10倍。Diamfab 表示，预计十年内所有电动汽车都将采用金刚石材质。

此外，化学气相沉积 (CVD) 技术的进步也大大加速了金刚石的开展，这有望将金刚石晶圆实现4英寸。Diamfab公司越来越看到金刚石开展的契机，他们有一个明确的路线图，到2025年实现4英寸晶圆，作为大规模生产的关键有助于因素。目标是在未来五到七年内增加产量。

（三）器件研发：总部位于东京的 Orbray Co Ltd和位于日本爱知县南山的汽车半导体研究公司 MIRISE Technologies Corp已开始合作开发未来在各种电动汽车中部署垂直金刚石功率器件所需的技术。

在研究合作中，Orbray将负责开发p型导电金刚石基板，而MIRISE将负责开发高压操作器件结构，以验证垂直金刚石功率器件的可行性。据悉，今年年初，日本佐贺大学教授Kazuki Yosda 和Orbray开发出了工作功率为每平方厘米 875 兆瓦的由金刚石制成的功率半导体，这是世界上输出功率值最高的半导体。


凯发k8国际（厦门）半导体科技有限公司，专注于金刚石半导体材料研发和生产，致力于成为全球领先的宽禁带半导体材料制造商，核心产品有多晶金刚石（晶圆级金刚石、金刚石热沉片、光学级多晶金刚石）、单晶金刚石（热学级、光学级、电子级）等。10余年技术积累，已经掌握设备开发、材料生长、研磨抛光等最全核心工艺，公司正在持续扩产，为广大客户给予领先的金刚石半导体材料。

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