近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业。 GaN具有禁带宽度大(室温下为3.39eV)、击穿电场强度高(3.3MV/cm)、饱和电子速度大(2.5×107cm/s)、热导率高(1.5W·cm-1·K-1)、抗辐射能力强以及易于形成异质结构等优异性能等特点,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,在 5G 通讯、航天、国防等领域具有极高的应用价值。
适合于高功率高频率器件应用的最基本的元件为GaN高电子迁移率晶体管( HEMT)。但是随着外延材料晶体质量的持续提高和器件工艺的改进,在小型化和功率增大化的条件下,GaN基微波功率器件的可靠性和稳定性受到严重挑战。
其中最主要的原因是GaN基功率器件随着功率密度的增加,芯片有源区的热积累效应迅速增加,在接近栅极的地方会产生局部的数十纳米大小的热点,局部热流密度可以达到太阳表面热流密度的十倍以上。但这些热量却无法快捷有效地散发出去,这导致其各项性能指标迅速恶化,寿命减少。尽管 GaN 功率器件的理论输出功率密度可达40 W/mm 以上,但是由于现阶段因其自身热效应问题导致GaN HEMT器件功率密度仅为3~5 W/mm。
GaN高电子迁移率晶体管示意图
由于散热的需求,GaN器件的衬底材料从蓝宝石(33 W/m·K)、Si(导热系数149 W/m·K),GaN(200W/m·K)发展到现在市场上的SiC(导热系数380 W/m·k)。对比个各种基底材料,我们也可以看到,蓝宝石基底导热系数太低(33 W/m·K),而GaN基底导热系数较高(200W/m·K)但是价格相对较贵。Si基GaN器件性能一般但是具有价格优势,SiC基GaN器件是目前雷达和电子战设备无可替代的选择,金刚石具有已知材料中最高的热导率(2000W/m·k),以金刚石作为散热衬底与器件直接键合是减小热阻的理想选择。
几种常见的衬底材料性能
硅基氮化嫁:这种方法比另外两种良率都低,不过它的优势是可以使用全球低成本、大尺寸CMOS硅晶圆和大量射频硅代工厂。
碳化硅基氮化镓:这是射频氮化镓的“高端”版本,SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓产品,可提供其他出色特性,可确保其在最苛刻的环境下使用。
金刚石基氮化镓:在世界上所有材料中工业金刚石的热导率最高(因此最好能够用来散热)。使用金刚石代替硅、碳化硅、或者其他基底材料可以把金刚石高导热率优势发挥出来,可以实现非常接近芯片的有效导热面。
凯发k8国际基于成熟的键合工艺,推出金刚石氮化镓异质集成复合衬底。与传统的SiC基GaN功率器件相比,金刚石衬底 GaN 器件具有更高的散热能力,并且有望实现GaN 基功率器件的小型化和大功率化,从而促进在射频功率器件和微波功率器件相关领域的广泛应用。此外,凯发k8国际的金刚石晶圆生长表面粗糙度Ra<1 nm,可以提供与硅、氮化镓、磷化铟、氧化镓等材料键合。