金刚石热沉片，高功率器件散热的行家！

通常你看到的超大功率器件依然能有条不紊的进行工作，你第一时间想到的是什么？是零件之间高精度的衔接，亦或是各个主次级系统明确的分工合作，还是工作任务的难易程度？据统计，由热量集中引起的功率器件故障占总故障率的55%，产品散热设计对产品的可靠性有着至关重要的影响。半导体器件体积小、寿命长，除了通信领域，也可以在雷达、测声、医疗中应用，但研究发现，散热影响半导体器件的寿命和使用情况。除此之外，CPU温度过高会造成电脑自动关机、蓝屏、死机、电脑卡顿等情况，长期温度过高，影响其使用寿命。无论是大功率器件，还是电力电子元件，热管理都尤为重要。

金刚石的带隙宽、热导率高、击穿场强高、载流子迁移率高、耐高温、抗酸碱、抗腐蚀、抗辐照，优越的性能使其在高功率、高频、高温领域等方面发挥重要作用，其经典的应用场景包括金刚石热管理材料。

金刚石具备的优势如下：

极高的热传导：热导率2200W/m.K，室温下金刚石具有最高的热导率。

极高的介质击穿特性：击穿电场为107V/cm，是GaAs的50倍，GaN的2倍，SiC的2.5倍。

极高的功率容量：容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上；特别适合制作大功率电子器件。

低的介电常数：介电常数为5.7，约为GaAs的1/2，比InP的一半还小。

高饱和载流子速度：饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍，在电场强度增加时也维持高速率。

高载流子迁移率：电子迁移率为4500c㎡/（V·s），高于绝大多数材料，适合制作高频电子器件。

图1   金刚石与其他散热材料的特性

金刚石热沉可有效解决散热问题，并可在相同尺寸下提升高功率器件的性能。现在，CVD 金刚石热沉片可顺利获得以下三种方式广泛整合到散热解决方案中：

1.      独立单个金刚石单元顺利获得金属化和焊接进行接合，（例如采用Ti/Pt/Au溅射沉积金属和AuSn 共晶焊接）；

2.      预制晶片支撑多个器件，使器件生产商能够大批量处理晶片（比如金属化和贴装）。此类附加步骤完成后，这些晶片可作为单个子组件的基板。

3.      直接采用金刚石镀膜。

凯发k8国际采用最先进的 MPCVD装置，制备大面积高品质金刚石膜，采用研磨抛光专用设备，使CVD金刚石生长面表面粗糙度 Ra < 1 nm，现有核心产品晶圆级金刚石、金刚石热沉片、金刚石基氮化镓外延片、金刚石基氮化铝薄膜等。其中金刚石热沉片热导率1000-2000W/m.k。在这里，我们将会为您给予最优质的热管理服务。